型号:SI4916DY-T1-GE3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 10A,10.5A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 18 毫欧 @ 10A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 10nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 3.3W,3.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市春东电子有限公司 | 朱先生/王小姐0755-82563615/82563213 |
深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
深圳市科雨电子有限公司 | 汪小姐,15173547089,无线联通更快捷!171-4729-1886(微信同号) |
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深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
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径向
CAP CER 120PF 100V 5% RADIAL
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24-DIP 模块(8 引线)
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
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芯片电阻 - 表面安装
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0805(2012 公制)
RES 280K OHM 1/8W .5% SMD 0805
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CAP CER 1UF 50V 20% RADIAL
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0805(2012 公制)
RES 12.1K OHM 1/8W .25% SMD 0805
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陶瓷
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径向
CAP CER 120PF 100V 5% RADIAL
- RW-053.3S/SMD
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CONV DC/DC 3W 4.5-9VIN 3.3VOUT
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC
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芯片电阻 - 表面安装
Yageo
0805(2012 公制)
RES 28.7 OHM 1/8W .5% SMD 0805
- SRS-1-1.135
电路板衬垫,支座
Bivar Inc
非标准
SCREW SPACER PVC 1.135X.25 #4 GY
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AVX Corporation
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- RW-053.3S/SMD
DC DC Converters
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AVX Corporation
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Yageo
0805(2012 公制)
RES 2.40K OHM 1/8W .5% SMD 0805
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Yageo
0805(2012 公制)
RES 2.74K OHM 1/8W .5% SMD 0805
- SR205E224MAR
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.22UF 50V 20% RADIAL
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电路板衬垫,支座
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- RW0S6BB24R0FET
芯片电阻 - 表面安装
Ohmite
2010(5025 公制)
RES 24 OHM .6W 2010 SMD
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10-DIP SMD 模块(6 引线)
CONV DC/DC 0.5W 05VIN 12VOUT
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径向
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0805(2012 公制)
RES 143K OHM 1/8W .25% SMD 0805
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RES .015 OHM .6W 2010 SMD
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